導讀:晶體管,只是對所有以半導體材料為基礎的元件的統(tǒng)稱,那么問題來了,晶體管工作原理是什么呢?接下來就讓我們以雙極性晶體管和場效應晶體管為例來詳細了解一下吧~
晶體管,英文名稱為transistor,泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,如二極管、三極管、場效應管等等。晶體管具有整流、檢波、放大、穩(wěn)壓、開關等多種功能,具有響應速度快、精度高等特點,是規(guī)范化操作手機、平板等現(xiàn)代電子電路的基本構建模塊,目前已有著廣泛的應用。
晶體管泛指所有半導體器件,包含N多種類,因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據極性的不同可分為NPN型晶體管和PNP型晶體管;根據結構和制造工藝的不同可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管;其還可根據電流容量的不同、工作頻率的不同、封裝結構的不同等分類方式分為不同的種類。但晶體管多指晶體三極管,主要分為雙極性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET),接下來我們就以BJT和FET為例來講述晶體管的工作原理。
雙極性晶體管,英語名稱為Bipolar Transistor,是雙極性結型晶體管的簡稱,由于其具有三個終端,因此我們通常將其稱為三極管。三極管由兩個PN結構成,兩個PN結將其分為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū),相應的產生三個電極:發(fā)射極、基極和集電極。
三極管的工作原理是醬紫的,首先,電源作用于發(fā)射結上使得發(fā)射結正向偏置,發(fā)射區(qū)的自由電子不斷的流向基區(qū),形成發(fā)射極電流;其次,自由電子由發(fā)射區(qū)流向基區(qū)后,首先聚集在發(fā)射結附近,但隨著此處自由電子的增多,在基區(qū)內部形成了電子濃度差,使得自由電子在基區(qū)中由發(fā)射結逐漸流向集電結,形成集電極電流;最后,由于集電結處存在較大的反向電壓,阻止了集電區(qū)的自由電子向基區(qū)進行擴散,并將聚集在集電結附近的自由電子吸引至集電區(qū),形成集電極電流。
場效應晶體管,英語名稱為Field Effect Transistor,簡稱為場效應管,是一種通過對輸入回路電場效應的控制來控制輸出回路電流的器件。可分為結型和絕緣柵型、增強型和耗盡型、N溝道和P溝道,接下來我們就以N溝道結型場效應管為例來對場效應管的工作原理進行說明。
對應于三極管的基極、集電極和發(fā)射極,場效應管分別是柵極、漏極和源極。在其柵-源間加負向電壓、漏-源間加正向電壓以保證場效應管可以正常工作。所加負向電壓越大,在PN結處所形成的耗盡區(qū)越厚,導電溝道越窄,溝道電阻越大,漏極電流越小;反之,所加負向電壓越小,在PN結處所形成的耗盡區(qū)越薄,導電溝道越厚,溝道電阻越小,漏極電流越大。由此通過控制柵-源間所加負向電壓完成了對溝道電流的控制。
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